氮化鎵 及 砷化鎵 發出 何 種 電磁波
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砷化鎵
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砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池 ...
氮化鎵
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氮化鎵 編輯 ; 溶解性（水）, 會和水反應 ; 能隙, 3.4 eV（300 K, direct） eV ; 電子移動率, 440 cm2/（V·s，300 K） ; 熱導率, 2.3 W/（cm·K，300 K）.
砷化鎵
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III-V族化合物半導體由週期表三族與五族之元素調配組合之化合物，如砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、磷化銦鎵(InGaP)等，常用於光電產品及微波通訊產品， ...
認識LED 發光關鍵材料
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砷化鎵(英文名稱為Gallium arsenide, 化學式為GaAs)是. 鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料，被用來製作像微波. 積體電路(例如單晶微波積體電路(MMIC)) ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
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氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比 ...
調變a 面氮化鎵銦氮化鎵光子晶體極化特性以增強自發性輻射
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... 砷化鎵(GaAs)最具代表. 性。還有一部分的合金半導體，其結構以三、七、三，堆疊而 ... GaN single quantum well的所發出的極化光特. 性並且在最後討論a-plane InGaN ...
光電科技：半導體雷射
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目前，實用的光纖通訊光源是高穩定度的砷化鎵及砷化鋁鎵等半導體雷射，波長在0.8 ~ 1.5 微米之間。 通訊容量與傳輸訊號的頻率關係密切，頻率愈高，可傳輸 ...
摻雜量對氮化銦鎵氮化鎵多層量子井光學與結構特性之研究
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b.磊晶薄膜生長：將腔體溫度提高至氮化鎵磊晶溫度（950℃~1120℃）通. 入化學反應氣體採用三甲基鎵(TMG)及氨氣(NH3)，藉以在腔體內部進行. 氣體化學反應及表面反應，以高溫 ...
國立臺灣大學工學院應用力學研究所博士論文烏采結構氮化 ...
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可見，不論氮化銦鎵量子點成長於何種晶體. 角度之氮化鎵基板上，高度這個幾何參數對電子特徵能量的影響極為顯著。 圖5.9(b)為不同高度之量子點的電洞特徵能量隨晶體角度 ...
LED：引領新世代的終極燈泡
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鎵磷（AlGaInP）這種由4 種元素組成，發光亮度較高的，多稱為四元LED。氮化鎵材料則因為可以發出以. 上材料不能發出的藍光，一般另稱為氮化物LED。 Page 5. 二極體的外觀 ...