氮化鎵 及 砷化鎵 發出 何 種 電磁波
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砷化鎵
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砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池 ...
![氮化鎵](https://api.multiavatar.com/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91%EF%BC%8C%E8%87%AA%E7%94%B1%E7%9A%84%E7%99%BE%E7%A7%91%E5%85%A8%E6%9B%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
氮化鎵
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氮化鎵 編輯 ; 溶解性(水), 會和水反應 ; 能隙, 3.4 eV(300 K, direct) eV ; 電子移動率, 440 cm2/(V·s,300 K) ; 熱導率, 2.3 W/(cm·K,300 K).
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砷化鎵
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III-V族化合物半導體由週期表三族與五族之元素調配組合之化合物,如砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、磷化銦鎵(InGaP)等,常用於光電產品及微波通訊產品, ...
![認識LED 發光關鍵材料](https://api.multiavatar.com/%E8%AA%8D%E8%AD%98LED+%E7%99%BC%E5%85%89%E9%97%9C%E9%8D%B5%E6%9D%90%E6%96%99%3A%E9%8E%B5%E9%87%91%E5%B1%AC.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
認識LED 發光關鍵材料
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砷化鎵(英文名稱為Gallium arsenide, 化學式為GaAs)是. 鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料,被用來製作像微波. 積體電路(例如單晶微波積體電路(MMIC)) ...
![甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解](https://api.multiavatar.com/%E7%94%9A%E9%BA%BD%E6%98%AF%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%EF%BC%9F%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%EF%BC%88GaN%EF%BC%89%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A9%B3%E8%A7%A3.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解
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氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻,氮化鎵基功率元件明顯比 ...
![調變a 面氮化鎵銦氮化鎵光子晶體極化特性以增強自發性輻射](https://api.multiavatar.com/%E8%AA%BF%E8%AE%8Aa+%E9%9D%A2%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E9%8A%A6%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%85%89%E5%AD%90%E6%99%B6%E9%AB%94%E6%A5%B5%E5%8C%96%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%BB%A5%E5%A2%9E%E5%BC%B7%E8%87%AA%E7%99%BC%E6%80%A7%E8%BC%BB%E5%B0%84.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
調變a 面氮化鎵銦氮化鎵光子晶體極化特性以增強自發性輻射
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... 砷化鎵(GaAs)最具代表. 性。還有一部分的合金半導體,其結構以三、七、三,堆疊而 ... GaN single quantum well的所發出的極化光特. 性並且在最後討論a-plane InGaN ...
![光電科技:半導體雷射](https://api.multiavatar.com/%E5%85%89%E9%9B%BB%E7%A7%91%E6%8A%80%EF%BC%9A%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E9%9B%B7%E5%B0%84+-+%E7%A7%91%E6%8A%80%E5%A4%A7%E8%A7%80%E5%9C%92.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
光電科技:半導體雷射
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目前,實用的光纖通訊光源是高穩定度的砷化鎵及砷化鋁鎵等半導體雷射,波長在0.8 ~ 1.5 微米之間。 通訊容量與傳輸訊號的頻率關係密切,頻率愈高,可傳輸 ...
![摻雜量對氮化銦鎵氮化鎵多層量子井光學與結構特性之研究](https://api.multiavatar.com/%E6%91%BB%E9%9B%9C%E9%87%8F%E5%B0%8D%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8A%A6%E9%8E%B5%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E5%A4%9A%E5%B1%A4%E9%87%8F%E5%AD%90%E4%BA%95%E5%85%89%E5%AD%B8%E8%88%87%E7%B5%90%E6%A7%8B%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B9%8B%E7%A0%94%E7%A9%B6.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
摻雜量對氮化銦鎵氮化鎵多層量子井光學與結構特性之研究
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b.磊晶薄膜生長:將腔體溫度提高至氮化鎵磊晶溫度(950℃~1120℃)通. 入化學反應氣體採用三甲基鎵(TMG)及氨氣(NH3),藉以在腔體內部進行. 氣體化學反應及表面反應,以高溫 ...
![國立臺灣大學工學院應用力學研究所博士論文烏采結構氮化 ...](https://api.multiavatar.com/%E5%9C%8B%E7%AB%8B%E8%87%BA%E7%81%A3%E5%A4%A7%E5%AD%B8%E5%B7%A5%E5%AD%B8%E9%99%A2%E6%87%89%E7%94%A8%E5%8A%9B%E5%AD%B8%E7%A0%94%E7%A9%B6%E6%89%80%E5%8D%9A%E5%A3%AB%E8%AB%96%E6%96%87%E7%83%8F%E9%87%87%E7%B5%90%E6%A7%8B%E6%B0%AE%E5%8C%96+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
國立臺灣大學工學院應用力學研究所博士論文烏采結構氮化 ...
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可見,不論氮化銦鎵量子點成長於何種晶體. 角度之氮化鎵基板上,高度這個幾何參數對電子特徵能量的影響極為顯著。 圖5.9(b)為不同高度之量子點的電洞特徵能量隨晶體角度 ...
![LED:引領新世代的終極燈泡](https://api.multiavatar.com/LED%EF%BC%9A%E5%BC%95%E9%A0%98%E6%96%B0%E4%B8%96%E4%BB%A3%E7%9A%84%E7%B5%82%E6%A5%B5%E7%87%88%E6%B3%A1.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
LED:引領新世代的終極燈泡
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鎵磷(AlGaInP)這種由4 種元素組成,發光亮度較高的,多稱為四元LED。氮化鎵材料則因為可以發出以. 上材料不能發出的藍光,一般另稱為氮化物LED。 Page 5. 二極體的外觀 ...